SiC芯片及器件:
SBD芯片及器件
簡介:
具有正溫度系數、耐高壓、高浪涌能力、高電流密度,低比導通電阻等特點。
產品參數:
應用:
光伏、軌交、電網等。
MOSFET芯片及器件
車規級SiC MOSFET芯片,具有高電流密度,低比導通電阻 ,高工作頻率等特點,適用于新能源汽車、充電樁領域;高壓SiC MOSFET芯片,芯片內置柵電阻,具有低開關損耗,高工作頻率的特點,適用于軌道交通、電網領域。
高壓MOSFET用于軌交、電網。
車規級MOSFET用于新能源汽車、充電樁。
SiC模塊
采用中車第二代SiC芯片,具有正溫度系數,高浪涌能力等特點。
軌交、電網、新能源汽車、充電樁。